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GW quasiparticle band structures of stibnite, antimonselite, bismuthinite, and guanajuatite

机译:辉锑矿,锑矿,GW准粒子带结构,   bismuthinite和guanajuatite

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摘要

We present first-principles calculations of the quasiparticle band structuresof four isostructural semiconducting metal chalcogenides A$_2$B$_3$ (with A =Sb, Bi and B = S, Se) of the stibnite family within the G$_0$W$_0$ approach. Weperform extensive convergence tests and identify a sensitivity of thequasiparticle corrections to the structural parameters and to the semicore $d$electrons. Our calculations indicate that all four chalcogenides exhibit directband gaps, if we exclude some indirect transitions marginally below the directgap. Relativistic spin-orbit effects are evaluated for the Kohn-Sham bandstructures, and included as scissor corrections in the quasiparticle band gaps.Our calculated band gaps are 1.5 eV (Sb$_2$S$_3$), 1.3 eV (Sb$_2$Se$_3$), 1.4eV (Bi$_2$S$_3$) and 0.9 eV (Bi$_2$Se$_3$). By comparing our calculated gapswith the ideal Shockley-Queisser value we find that all four chalcogenides arepromising as light sensitizers for nanostructured photovoltaics.
机译:我们介绍了G $ _0 $ W $范围内辉锑矿族的四个同构半导电金属硫属元素化物A $ _2 $ B $ _3 $(A = Sb,Bi和B = S,Se)的准粒子能带结构的第一性原理计算。 _0 $方法。 Weperform进行广泛的收敛测试,并确定准粒子校正对结构参数和半核$ d $电子的敏感性。我们的计算表明,如果我们将一些间接跃迁略微地排除在直接间隙以下,则所有四个硫族化物都表现出直接带隙。对Kohn-Sham能带结构进行了相对论自旋轨道效应的评估,并将其作为剪刀修正包括在准粒子带隙中。我们计算出的带隙为1.5 eV(Sb $ _2 $ S $ _3 $),1.3 eV(Sb $ _2 $ Se $ _3 $),1.4eV(Bi $ _2 $ S $ _3 $)和0.9eV(Bi $ _2 $ Se $ _3 $)。通过将我们计算的差距与理想的Shockley-Queisser值进行比较,我们发现所有四种硫族化物有望作为纳米结构光伏的光敏剂。

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